III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造UV輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其UV輻射效率非常低，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在該層中摻雜了少量的金屬In，則有源層的局部能級將發(fā)生變化。 此時，電子和空穴將發(fā)生輻射復合。 因此，當有源層中摻雜有金屬銦時，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。III-V族金屬氮化物基半導體非常適合制造UV輻射源。 以AlGaInN為例，在室溫下，隨著各組分比例的變化，復合過程中電子和空穴的輻射能量為1.89?6.2eV。 如果LED的有源層僅由GaN或AlGaN組成，則其UV輻射效率非常低，因為電子和空穴之間的復合是非輻射復合。 如果在該層中摻雜了少量的金屬In，則有源層的局部能級將發(fā)生變化。 此時，電子和空穴將發(fā)生輻射復合。 因此，當有源層中摻雜有金屬銦時，在380nm處的輻射效率比未摻雜時高19倍。傳統(tǒng)的汞燈固化機使用汞燈發(fā)光，燈泡中有汞，廢棄產(chǎn)品的處理和運輸非常麻煩，處理不當會對環(huán)境造成嚴重污染。而LED固化機使用半導體發(fā)光，沒有環(huán)境污染。所以用LED固化機更環(huán)保。超高照度
采用大功率LED芯片和特殊的光學設(shè)計，使UV達到高精度和高強度照射； UV輸出達到8600mW / m2的照射強度。 使用最新的光學技術(shù)和制造工藝，與傳統(tǒng)的水銀燈照射方法相比，它實現(xiàn)了更高的強度輸出和均勻性，并且比傳統(tǒng)的水銀燈照射方法的光度高出幾乎兩倍，從而使UV粘合劑固化速度更快， 縮短生產(chǎn)時間大大提高了生產(chǎn)效率。
傳統(tǒng)汞燈方法點光源當固化機增加照射通道時，通道的增加將導致單個照射通道的輸出能量降低。 對于LED型照射，每個照射頭獨立地發(fā)光，并且照射能量不受通道增加的影響，并且始終保持在最大值。
與汞燈相比，UV   LED由于其超集中的照度而縮短了操作的照射時間并提高了生產(chǎn)效率。
低能耗
UV  LED方式有效發(fā)光效率是水銀燈方法的10倍以上。
同時，無論汞燈是否有效，都需要持續(xù)點亮汞燈，并且總是要消耗電力。UV  LED方式僅在被輻射時消耗功率，而待機時的功率消耗幾乎為零。 可以進行簡單的計算。 每臺點光源固化機節(jié)省的電能：270（瓦特）* 8（小時）* 365（天）= 800（千瓦小時）
可以看出，每臺設(shè)備每年僅消耗幾千美元 節(jié)省電費。 不僅如此，通過節(jié)電，每輛汽車每年可以間接減少二氧化碳排放1.4噸，這相當于汽車的年排量。
維護成本
維護成本幾乎為零，使用UV   LED固化設(shè)備每年可節(jié)省至少10,000元/套耗材。
UV   LED問題
UV  LED光源作為一種新技術(shù)，目前還存在一些問題： 
（1）由于UV   LED而導致 由于技術(shù)是由國外控制的，所以目前國內(nèi)的UV   LED燈的價格比較高； 
（2）由于技術(shù)特性的限制，目前的UV   LED燈的光強度不是很高，以致在一定程度上影響固化速度。

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